Kingston kvr kvr800d2n6 2g

PC2-6400 800MHz CL6 1.8V RTL

Гарантия 36 мес. В сервисном центре компании X-Com
При предъявлении документа о покупке

Старая цена: 1 823 руб.

Цена на остатки

Характеристики

Основные характеристики

Тайминги

Дополнительные характеристики

Ссылки

Похожие товары (3)

PC2-6400 800MHz CL6 1.8V RTL

В наличии , склад «Водный стадион»

PC2-6400 800MHz CL5 (128*8) Bulk

В наличии , склад «Водный стадион»

PC2-6400 800MHz CL5 1.8V (128*8) Bulk

В наличии , склад «Химки»

Отзывы покупателей Икс-Ком

О данном товаре пока нет отзывов.

— Модули памяти DDR2 800/1066MHz

Kingston KVR800D2N6/2G сертифицирован для продажи в России. Изображения товара, включая цвет, могут отличаться от реального внешнего вида. Комплектация также может быть изменена производителем без предварительного уведомления. Данное описание не является публичной офертой.

Модуль памяти DDR2 2GB Kingston KVR800D2N6/2G – фото, технические характеристики, условия доставки по Москве и России. Для того, чтобы купить модуль памяти ddr2 2gb Kingston KVR800D2N6/2G в интернет-магазине Xcom-shop.ru, достаточно заполнить форму онлайн заказа или позвонить по телефонам: +7 (495) 799-96-69, +7 (800) 200-00-69.

  • Прием жалоб
    и предложений
  • Отдел
    рекламаций
  • Наши услуги
  • Постоянным
    покупателям
  • Уцененные товары
  • Наши игры
  • Уголок покупателя

Офис м. Водный стадион
125130 , г. Москва ,
ул. Выборгская, 22 стр. 3
Схема проезда

Оформление заказа:
8 (495) 799-96-69
8 (800) 200-00-69
с 9.00 до 21.00 в будни;
с 10.00 до 18.00 в выходные.
Через сайт — круглосуточно.

Отдел региональной доставки:
8 (495) 799-96-69
с 9.00 до 18.00 в будни.

Отдел приема рекламаций:
8 (495) 799-96-69
с 09.00 до 19.00 в будни;
с 10.00 до 18.00 в субботу.

Информация на сайте, в т.ч.: описание, технические характеристики составлено ООО «Компьюлан». Использование данного материала, частично или целиком, на сторонних сайтах разрешено только при прямой ссылке на страницу сайта с которой была взята информация.

Вся информация, опубликованная на сайте www.kns.ru, в т.ч. цены товаров, описания, характеристики и комплектации не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 Гражданского кодекса РФ и носят исключительно справочный характер. Договор заключается только после подтверждения исполнения заказа сотрудником КНС.

Читайте также:  Безопасный поиск в интернете

Нашли ошибку на сайте? Выделите ее на странице, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам. Будем Вам очень признательны!

Средняя цена по России, руб: 1 886

Общие характеристики

Производитель

Фирма, спроектировавшая данный модуль памяти.

Kingston Тип памяти

DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных) – современный тип оперативной памяти, пришедший на смену SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом). Сейчас память SDRAM считается сильно устаревшей.

На сегодняшний день самым распространенным типом оперативной памяти для ПК является представитель третьего поколения DDR — DDR3.

На смену DDR3 постепенно приходят модули памяти DDR4, но большого распространения они пока не получили из-за высокой стоимости самих планок памяти и материнских плат для них. Теоретическая скорость передачи данных у модулей памяти DDR4 в два раза выше чем у DDR3, но на практике DDR4 пока не сильно выигрывает у DDR3.

DDR — самый первый вид оперативной памяти с удвоенной скоростью передачи данных. Данная технология является устаревшей.

DDR2 — следующее поколение оперативной памяти типа DDR. Может работать на более высокой частоте по сравнению с первой версией DDR.

Совместимость между различными представителями DDR (DDR, DDR2, DDR3, DDR4) отсутствует.

DDR3L — DDR3 с пониженным энергопотреблением (1,35В, вместо 1,5 у стандартных). Совместима с DDR3.

Сейчас иногда еще можно встретить сильно устаревшую память RDRAM.

DDR2 Форм-фактор

DIMM (Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти) – форм-фактор модуля памяти, пришедший на смену SIMM (Single In-line Memory Module, односторонний модуль памяти). Основным преимуществом DIMM перед SIMM является ускорение передачи данных. DIMM также имеет функцию обнаружения и исправления ошибок, что обеспечивает более надежную передачу данных.

SO-DIMM (или SODIMM), MicroDIMM, MiniDIMM — форм-факторы памяти, используемые в портативных устройствах (ноутбуках, планшетах).

Читайте также:  Самый большой безрамочный смартфон

FB-DIMM (Fully Buffered, полностью буферизованный) – серверная оперативная память. Обеспечивает повышенную скорость и точность передачи данных. Несовместима с обычными небуферизованными модулями памяти DIMM.

LRDIMM (load-reduced dual inline memory module, двухсторонний модуль памяти с уменьшенной нагрузкой) – серверная оперативная память, которая устанавливается в дата-центрах и серверах с большой нагрузкой.

RIMM — устаревший форм-фактор модулей памяти для ПК.

DIMM Количество модулей памяти

Иногда в комплекте могут продаваться сразу несколько одинаковых модулей памяти.

1 Размер одного модуля памяти, Мб

Количество памяти на каждом модуле, которая доступна для записи информации.

2048 Тактовая частота, МГц

Тактовая частота показывает какое количество операций может совершить модуль памяти за 1 секунду. Соответственно, чем выше данный показатель, тем память работает быстрее. Для всех моделей памяти DDR: DDR, DDR2, DDR3, DDR4 значение таковой частоты указывается удвоенным.

Дополнительные характеристики

Пропускная способность, Гб/с

Показывает какое количество данных может быть передано или получено за 1 секунду.

6400 Поддержка ECC

EСС (Error Checking and Correction – проверка и исправление ошибок) – это технология, разработанная для нахождения ошибок и их исправления (если ошибок не слишком много). Модули памяти с ECC, как правило, устанавливают на серверах и в дата-центрах, поскольку при небольшой нагрузке (среднестатистического ПК) ошибки практически не возникают. Модули памяти с ECC и без ECC несовместимы.

нет Буферизованная (Регистровая) память

Буфер (регистр) повышает надежность хранения и передачи информации, но несколько снижает производительность. Буферизованная (регистровая) память устанавливается, как правило, на серверах, поскольку при незначительной нагрузке, такой, как на среднестатистическом ПК буфер только замедляет его работу. Буферизованные и небуферизованные модули памяти несовместимы.

нет Низкопрофильная

Высота модуля памяти уменьшена до 25мм.

нет Количество контактов

Количество контактов модуля памяти с гнездом материнской платы.

240 Число чипов на один модуль памяти

Количество чипов (микросхем), предназначенных для хранения памяти, находящихся на одном модуле.

16 Напряжение, В

Напряжение, которое требуется для питания модуля памяти. Для совместимости материнская плата должна поддерживать данное напряжение.

Читайте также:  Nvarchar тип данных sql
1.8 Наличие радиатора

Наличие радиатора повышает теплоотведение, препятствуя перегреву оперативной памяти. Его наличие крайне желательно для модулей памяти, работающих на высоких частотах (больше 1333 МГц).

нет CAS Latency (CL), тактов

CAS-latency (column address strobe latency – задержка на получение столбца) — время ожидания (циклов) между запросом на получение данных из ячейки памяти и временем, когда она начнет считываться. CAS-latency (CL или CAS-задежка) является важной характеристикой быстродействия оперативной памяти. Чем она ниже, тем память работает быстрее. Возможно также дробное значение данного показателя (например: 2.5).

6 Упаковка чипов

Расположение чипов (микросхем) памяти на планке. Чипы могут располагаться с одной или с двух сторон.

двусторонняя упаковка tRCD, тактов

tRCD (RAS to CAS Delay) – задержка (в циклах) между сигналами, определяющими адрес строки (RAS — Row Address Strobe) и адрес столбца CAS (Column Address Strobe). Чем она ниже, тем быстрее работает оперативная память.

10 tRP, тактов

tRP (Row Address Strobe Precharge Time) — время (в циклах), необходимое для закрытия строки памяти и открытия новой строки. Чем оно меньше, тем быстрее работает модуль памяти.

10 tRAS, тактов

tRAS (Activate to Precharge Delay) — задержка (в циклах) между командой активации (RAS) и закрытия строки памяти. Чем она меньше, тем быстрее работает модуль памяти.

30 Количество ранков

Ранк — область памяти, состоящая из всех или только части чипов (микросхем) данного модуля памяти. Некоторые материнские платы (в основном серверные) имеют ограничение на количество ранков, поэтому модули памяти с ранком равным единице ценятся немного больше.

2 Совместимость

Совместимость с материнскими платами или компьютерами, заявленная производителем данного модуля памяти. Полный список совместимых моделей почти всегда гораздо шире.