Kingston kvr1333d3n9 2g характеристики

Средняя цена по России, руб: 1 599

Общие характеристики

Производитель

Фирма, спроектировавшая данный модуль памяти.

Kingston Тип памяти

DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных) – современный тип оперативной памяти, пришедший на смену SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом). Сейчас память SDRAM считается сильно устаревшей.

На сегодняшний день самым распространенным типом оперативной памяти для ПК является представитель третьего поколения DDR — DDR3.

На смену DDR3 постепенно приходят модули памяти DDR4, но большого распространения они пока не получили из-за высокой стоимости самих планок памяти и материнских плат для них. Теоретическая скорость передачи данных у модулей памяти DDR4 в два раза выше чем у DDR3, но на практике DDR4 пока не сильно выигрывает у DDR3.

DDR — самый первый вид оперативной памяти с удвоенной скоростью передачи данных. Данная технология является устаревшей.

DDR2 — следующее поколение оперативной памяти типа DDR. Может работать на более высокой частоте по сравнению с первой версией DDR.

Совместимость между различными представителями DDR (DDR, DDR2, DDR3, DDR4) отсутствует.

DDR3L — DDR3 с пониженным энергопотреблением (1,35В, вместо 1,5 у стандартных). Совместима с DDR3.

Сейчас иногда еще можно встретить сильно устаревшую память RDRAM.

DDR3 Форм-фактор

DIMM (Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти) – форм-фактор модуля памяти, пришедший на смену SIMM (Single In-line Memory Module, односторонний модуль памяти). Основным преимуществом DIMM перед SIMM является ускорение передачи данных. DIMM также имеет функцию обнаружения и исправления ошибок, что обеспечивает более надежную передачу данных.

SO-DIMM (или SODIMM), MicroDIMM, MiniDIMM — форм-факторы памяти, используемые в портативных устройствах (ноутбуках, планшетах).

Читайте также:  Додж x5 max pro

FB-DIMM (Fully Buffered, полностью буферизованный) – серверная оперативная память. Обеспечивает повышенную скорость и точность передачи данных. Несовместима с обычными небуферизованными модулями памяти DIMM.

LRDIMM (load-reduced dual inline memory module, двухсторонний модуль памяти с уменьшенной нагрузкой) – серверная оперативная память, которая устанавливается в дата-центрах и серверах с большой нагрузкой.

RIMM — устаревший форм-фактор модулей памяти для ПК.

DIMM Количество модулей памяти

Иногда в комплекте могут продаваться сразу несколько одинаковых модулей памяти.

1 Размер одного модуля памяти, Мб

Количество памяти на каждом модуле, которая доступна для записи информации.

2048 Тактовая частота, МГц

Тактовая частота показывает какое количество операций может совершить модуль памяти за 1 секунду. Соответственно, чем выше данный показатель, тем память работает быстрее. Для всех моделей памяти DDR: DDR, DDR2, DDR3, DDR4 значение таковой частоты указывается удвоенным.

Дополнительные характеристики

Пропускная способность, Гб/с

Показывает какое количество данных может быть передано или получено за 1 секунду.

10600 Поддержка ECC

EСС (Error Checking and Correction – проверка и исправление ошибок) – это технология, разработанная для нахождения ошибок и их исправления (если ошибок не слишком много). Модули памяти с ECC, как правило, устанавливают на серверах и в дата-центрах, поскольку при небольшой нагрузке (среднестатистического ПК) ошибки практически не возникают. Модули памяти с ECC и без ECC несовместимы.

нет Буферизованная (Регистровая) память

Буфер (регистр) повышает надежность хранения и передачи информации, но несколько снижает производительность. Буферизованная (регистровая) память устанавливается, как правило, на серверах, поскольку при незначительной нагрузке, такой, как на среднестатистическом ПК буфер только замедляет его работу. Буферизованные и небуферизованные модули памяти несовместимы.

нет Низкопрофильная

Высота модуля памяти уменьшена до 25мм.

нет Количество контактов

Количество контактов модуля памяти с гнездом материнской платы.

240 Число чипов на один модуль памяти

Количество чипов (микросхем), предназначенных для хранения памяти, находящихся на одном модуле.

Читайте также:  Среднее арифметическое взвешенное в excel
16 Напряжение, В

Напряжение, которое требуется для питания модуля памяти. Для совместимости материнская плата должна поддерживать данное напряжение.

1.5 Наличие радиатора

Наличие радиатора повышает теплоотведение, препятствуя перегреву оперативной памяти. Его наличие крайне желательно для модулей памяти, работающих на высоких частотах (больше 1333 МГц).

нет CAS Latency (CL), тактов

CAS-latency (column address strobe latency – задержка на получение столбца) — время ожидания (циклов) между запросом на получение данных из ячейки памяти и временем, когда она начнет считываться. CAS-latency (CL или CAS-задежка) является важной характеристикой быстродействия оперативной памяти. Чем она ниже, тем память работает быстрее. Возможно также дробное значение данного показателя (например: 2.5).

9 Упаковка чипов

Расположение чипов (микросхем) памяти на планке. Чипы могут располагаться с одной или с двух сторон.

двусторонняя упаковка tRCD, тактов

tRCD (RAS to CAS Delay) – задержка (в циклах) между сигналами, определяющими адрес строки (RAS — Row Address Strobe) и адрес столбца CAS (Column Address Strobe). Чем она ниже, тем быстрее работает оперативная память.

9 tRP, тактов

tRP (Row Address Strobe Precharge Time) — время (в циклах), необходимое для закрытия строки памяти и открытия новой строки. Чем оно меньше, тем быстрее работает модуль памяти.

9 tRAS, тактов

tRAS (Activate to Precharge Delay) — задержка (в циклах) между командой активации (RAS) и закрытия строки памяти. Чем она меньше, тем быстрее работает модуль памяти.

30 Количество ранков

Ранк — область памяти, состоящая из всех или только части чипов (микросхем) данного модуля памяти. Некоторые материнские платы (в основном серверные) имеют ограничение на количество ранков, поэтому модули памяти с ранком равным единице ценятся немного больше.

4 Совместимость

Совместимость с материнскими платами или компьютерами, заявленная производителем данного модуля памяти. Полный список совместимых моделей почти всегда гораздо шире.

  • Тип : DDR3
  • Форм-фактор : DIMM
  • Объем одного модуля : 2 Гб
  • Количество контактов : 240
  • Количество модулей : 1
  • Тактовая частота : 1 333 МГц
  • Пропускная способность : 10 600 Мб/с
  • Поддержка ECC : Нет
  • Буферизованная (Registered) : Нет
  • Низкопрофильная (Low Profile) : Нет
Читайте также:  Челлендж что это такое простыми словами

Купить

Здесь вы можете посмотреть видео обзор Kingston KVR1333D3N9/2G. Узнать характеристики, прочитать отзывы о Kingston KVR1333D3N9/2G.

Магазины, в которых можно купить этот товар и его аналоги

Видео обзоры Kingston KVR1333D3N9/2G

  • Все 15
  • Обзоры 2
  • Распаковка 3
  • Настройка 1
  • Ремонт 1
  • Тесты 2
  • Посылка № 167. Оперативка с ТД: попытка №2. Kingston DDR3 1333MHz KVR1333D3N9/2G.

Характеристики Kingston KVR1333D3N9/2G

* Точные характеристики уточняйте у продавца.

Общие характеристики

Тип DDR3 Форм-фактор DIMM Объем одного модуля 2 Гб Количество контактов 240 Количество модулей 1 Тактовая частота 1 333 МГц Пропускная способность 10 600 Мб/с Поддержка ECC Нет Буферизованная (Registered) Нет Низкопрофильная (Low Profile) Нет Радиатор Нет

Тайминги

CL 9

Дополнительная информация

Напряжение питания 1.5 В

* Точные характеристики уточняйте у продавца.

Плюсы и минусы Kingston KVR1333D3N9/2G

Отзывы о Kingston KVR1333D3N9/2G

Спасибо, ваш отзыв скоро появится на сайте.

  • Обзор
  • Характеристики
  • Написать отзыв

Обзор

  • 1 модуль памяти DDR3
  • объем модуля 2 ГБ
  • форм-фактор DIMM, 240-контактный
  • частота 1333 МГц
  • CAS Latency (CL): 9

Характеристики

Тип памяти DDR3
Тактовая частота (МГц) 1333 МГц
Форм-фактор для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность 10600 Мб/с
Объем 1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) да
Бренд Kingston
Количество модулей в комплекте 1
Напряжение питания 1.5 В
Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка

Отзывы

Интернет-магазин компьютерной техники

    г. Москва, метро Савёловская, ул. Сущевский вал, 5 стр. 1, ВКЦ «Савёловский», павильон Е-09.8 (905) 547-1558 savelovo.a4@yandex.ru
  • Избранное ( 0 )
  • Сравнить ( 0 )
  • Просмотренные товары ( 0 )
  • 8(905)547-15-58
  • Работаем ежедневно
  • 11:00—20:00

К сожалению, Ваш браузер не поддерживает современные технологии используемые на нашем сайте.

Пожалуйста, обновите браузер, скачав его по ссылкам ниже, или обратитесь к системному администратору, обслуживающему Ваш компьютер.